快恢復(fù)二極管芯片PN結(jié)構(gòu)終止區(qū)用采用玻璃鈍化技術(shù)，其熱膨脹系數(shù)與硅的熱膨脹系數(shù)相匹配。所有的硅芯片越來越多的使用保護環(huán)平面技術(shù)和溝道阻斷來降低芯片的表面電場。
快恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode,簡稱FRD)是一種具有快速反向恢復(fù)時間的二極管。它在電源電路和高速開關(guān)電路中應(yīng)用廣泛，可以提高整流效率、降低電源噪聲、減少開關(guān)損耗，提高電路的可靠性和穩(wěn)定性。
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對快恢復(fù)二極管的要求也越來越高。未來，快恢復(fù)二極管將具有以下發(fā)展趨勢(1)提高電流密度:提高快恢復(fù)二極管的電流密度，以適應(yīng)更高功率的電源和開關(guān)應(yīng)用。(2)降低反向漏電流:降低快恢復(fù)二極管的反向漏電流，提高其可靠性和穩(wěn)定性。
(3)繼續(xù)提高開關(guān)速度:提高快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時間和開關(guān)速度，以適應(yīng)更高頻率的開關(guān)應(yīng)用。
(4)提高耐輻照性能:提高快恢復(fù)二極管的耐輻照性能，以適應(yīng)更嚴苛的環(huán)境要求。
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