燒結銀漿AS9376作為一種專為計算（HPC）設計的低溫燒結材料，其特的無壓燒結工藝、高導電性和工藝兼容性使其成為HPC芯片封裝、3D集成和異質(zhì)互連等場景的理想選擇。以下是其在HPC中的具體應用分析及技術價值：
燒結銀AS9376的關鍵特性適配HPC需求
性能指標 AS9376參數(shù) HPC需求匹配性：燒結溫度? ≤180℃（峰值溫度） 兼容低溫封裝工藝（避免熱損傷）
燒結銀AS9376用于激光雷達光學模組集成
?技術挑戰(zhàn)：
需將硅光芯片與光學元件無損互連，避免傳統(tǒng)焊接導致的界面反射損失。
?AS9376解決方案：
?納米級漿料：粒徑20-50 nm銀粉實現(xiàn)超薄互連層（厚度≤1 μm），插入損耗<0.1 dB。
?低溫工藝兼容：與UV固化工藝結合，避免高溫對光學元件的損傷。
假設?案例：Lumentum相干光引擎采用AS9376集成硅光芯片與光纖陣列，帶寬提升至1.6 Tbps。
燒結銀AS9376的技術優(yōu)勢總結
?工藝自由度：
AS9376無需外部壓力，適配現(xiàn)有光刻、絲網(wǎng)印刷等HPC產(chǎn)線工藝。
?性能平衡：
導電率與熱導率（≥600 W/m·K）兼顧，支持高頻高速信號傳輸與散熱。
燒結銀AS9376的微觀結構：
SEM觀察燒結后銀層孔隙率（<2%）、晶粒尺寸（<50 nm）。
?電學性能：
四探針法測接觸電阻（目標<10 mΩ·mm2）和擊穿電壓（>100 V）。
燒結銀AS9375的可靠性測試：
PCT測試（100 bar/85℃）評估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時）監(jiān)測電阻漂移率。
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