江蘇秦淮區(qū)英偉達芯片回收電子元件回收

更新時間1：2025-10-02 信息編號：a33e5ea50d6827 舉報維權

供應商	上海增雨實業(yè)有限公司店鋪
認證
報價	人民幣 888.00元
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所在地	上海市閔行區(qū)

吳增寶

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產(chǎn)品詳細介紹

內(nèi)存是計算機系統(tǒng)重要部件，作用是為程序運行提供場所，與CPU進行快的通信，暫存CPU運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)等。

PBC板，pcb板（基板）是分等級的，普通條只有4層或6層，而內(nèi)存條是采用10層甚至12層pcb板，層數(shù)越多，可以有更多的空間布線，電氣性能更佳，提高超頻性和穩(wěn)定性。

內(nèi)存時序，就是CPU從內(nèi)存中找到數(shù)據(jù)的延時時間，相同規(guī)格下（DDR代數(shù)、頻率等等），時序越小，延時越低，內(nèi)存性能越好。

DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。

Flash內(nèi)存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名閃存，是一種命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合會）進行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術標準，它與上一代DDR內(nèi)存技術標準大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預?。?。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運行。