現(xiàn)有晶圓片生產(chǎn)過程中,需要從一道生產(chǎn)工序轉(zhuǎn)移到下一道生產(chǎn)上,現(xiàn)有技術(shù)中依靠人力進行傳送,傳送過程的耗費人力,且人為傳送力道不能掌握,容易造成破片。為此,我們提供了一種自動晶圓傳片器以解決以上問題。

晶圓經(jīng)過前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復(fù)雜。

頂面碎片，它發(fā)生晶圓的頂面，變成一個合格率問題，當切片接近芯片的有源區(qū)域時，主要依靠刀片磨砂粒度、冷卻劑流量和進給速度。
背面碎片發(fā)生在晶圓的底面，當大的、不規(guī)則微小裂紋從切割的底面擴散開并匯合到一起的時候。當這些微小裂紋足夠長而引起不可接受的大顆粒從切口除掉的時候，BSC變成一個合格率問題。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不計。另一方面，當尺寸大于25um時，可以看作是潛在的受損?？墒?，50um的平均大小可以接受，示晶圓的厚度而定。

在切片或任何其它磨削過程中，在不超出可接受的切削質(zhì)量參數(shù)時，新一代的切片系統(tǒng)可以自動監(jiān)測施加在刀片上的負載，或扭矩。對于每一套工藝參數(shù)，都有一個切片質(zhì)量下降和BSC出現(xiàn)的極限扭矩值。切削質(zhì)量與刀片基板相互作用力的相互關(guān)系，和其變量的測量使得可以決定工藝偏差和損傷的形成。工藝參數(shù)可以實時調(diào)整，使得不超過招矩極限和獲得大的進給速度。
外圓切割組然操作簡單，但據(jù)片剛性差，切割全過程中鋸片易方向跑偏.造成被切割工們的平面度差；而內(nèi)圓切割只有進行直線切割，沒法進行斜面切割。線鋸切割技術(shù)具備割縫窄、率、切成片、可進行曲線圖切別等優(yōu)點成為口前普遍選用的切割技術(shù)。
硅圓片切割應(yīng)用的目的是將產(chǎn)量和合格率大，同時資產(chǎn)擁有的成本小?？墒?，挑戰(zhàn)是增加的產(chǎn)量經(jīng)常減少合格率，反之亦然。晶圓基板進給到切割刀片的速度決定產(chǎn)出。隨著進給速度增加，切割品質(zhì)變得更加難以維持在可接受的工藝窗口內(nèi)。進給速度也影響刀片壽命。在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對準運算的設(shè)備。

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