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醴陵萍鄉(xiāng)電瓷制造碳化硅窯具橫梁方梁立柱稱重

更新時間：2020-03-11 信息編號：f31qd3n0ee37a5
醴陵萍鄉(xiāng)電瓷制造碳化硅窯具橫梁方梁立柱稱重
￥42010-49支
￥41050-999支
￥350≥ 1000支

  • 420.00 元

  • 山東

  • 百德

  • 碳化硅窯具,橫梁,方梁,立柱

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詳情介紹

醴陵萍鄉(xiāng)電瓷制造碳化硅窯具橫梁方梁立柱稱重

產(chǎn)品別名
碳化硅窯具,橫梁,方梁,立柱
面向地區(qū)
全國
產(chǎn)地
山東
品牌
百德
產(chǎn)品類型
全新
規(guī)格
各種規(guī)格
材質(zhì)
碳化硅
電機功率
3kw
適用對象
其它
物料輸送方式
窯車窯
執(zhí)行標準
國標
類型
自動貼標機
濰坊百德機械，對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件，如德國的英飛凌半導(dǎo)體公司，美國的Cree公司、通用電子公司、摩托羅拉公司，日本的豐田、東芝、日立、富士等公司。（國內(nèi)從事SiC晶體研制的研究所和高校主要有中科院物理所、上海硅酸鹽研究所、山東大學(xué)、西安理工大學(xué)、中國電子科技集團第四十六所等）另外設(shè)備廠商也開始支持SiC器件的生產(chǎn)。每年的碳化硅及相關(guān)材料國際會議ICSCRM來自全球的聚集在一起探討有關(guān)碳化硅新的技術(shù)動態(tài)。

目前市場上也已有光電子、功率和微波等三類SiC器件提供商用，如PIN二極管、肖特基二極管、MESFET、MOSFET、晶閘管、SiC基發(fā)光二極管等。SiC器件的蓬勃發(fā)展迫切需要、大直徑、的SiC晶片，以降低器件的價格，提高器件的性能。但由于SiC在正常的工程條件下無液相存在，理論計算表明在壓力超過1010Pa、溫度超過2830℃的條件下，理想化學(xué)配比的SiC熔體才可能存在，故從商業(yè)的角度考慮SiC不可能像Si材料一樣從熔體中提拉制備。目前世界上制備SiC體單晶的標準方法是籽晶升華法。其原理是采用感應(yīng)或電阻加熱的方式對準密閉的坩堝系統(tǒng)加熱，將作為生長源的固態(tài)混合物置于溫度較高的坩堝底部，籽晶固定在溫度較低的坩堝頂部，生長源在低壓高溫下升華分解產(chǎn)生氣態(tài)物質(zhì)，在由生長源與籽晶之間存在的溫度梯度而形成的壓力梯度的驅(qū)動下，這些氣態(tài)物質(zhì)自然輸運到低溫的籽晶位置，并由于超飽和度的產(chǎn)生而結(jié)晶生長。
碳化硅窯具 橫梁方梁

濰坊百德機械設(shè)備有限公司 7年

  • 碳化硅脫硫噴嘴,碳化硅方梁輥棒套管,渦流空心錐噴嘴,螺旋實心錐噴嘴
  • 山東省濰坊市高密市呼家莊產(chǎn)業(yè)園

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